2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

[9p-Z01-1~18] 15.3 III-V族エピタキシャル結晶・エピタキシーの基礎

2020年9月9日(水) 12:30 〜 18:00 Z01

石川 史太郎(愛媛大)、山根 啓輔(豊橋技科大)

12:45 〜 13:00

[9p-Z01-2] 高濃度BeドープGaAsNのフォトルミネッセンス特性

藤本 卓雅1、塚崎 貴司1、椎野 直樹1、藤田 実樹2、牧本 俊樹1 (1.早大理工、2.一関高専)

キーワード:GaAsN, フォトルミネッセンス, 高濃度ドープ