[9p-Z02-1~6] 透明結晶の機能性と科学　～深紫外光源で創生されるエコシステム～

[9p-Z02-2] AlGaN系透明結晶の欠陥と電気特性の制御

〇藤岡 洋¹、上野 耕平¹、小林 篤¹ (1.東大生研)

キーワード：窒化物半導体, ワイドギャップ半導体, AlGaN

AlGaN系ワイドギャップ半導体の成長においては、Al組成の増大に伴い補償欠陥が生成しやすくなり、電気的に優れた結晶の成長が困難となることが知られている。低圧放電からの真空紫外光照射による擬フェルミレベル制御の効果は低温成長技術と組み合わせると、補償欠陥の低減に有効であることがわかった。