The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Oral presentation

13 Semiconductors » 13.8 Optical properties and light-emitting devices

[9p-Z04-1~20] 13.8 Optical properties and light-emitting devices

Wed. Sep 9, 2020 1:00 PM - 6:15 PM Z04

Yasushi Nanai(Aoyama Gakuin Univ.), Takayuki Nakanishi(NIMS)

5:30 PM - 5:45 PM

[9p-Z04-18] Effects of Zn and H doping on the luminescence properties of Pr3+-doped garnet-type oxides

Junichi Sugiyama1, Masahito Yoshino1, Tomoaki Yamada1, Takanori Nagasaki1 (1.Nagoya Univ.)

Keywords:rare earth ion, phosphor

希土類イオンを添加した酸化物発光材料において、酸素空孔の形成を促す低価数イオンの添加や、酸素空孔を高温水蒸気下で埋めることによる水素の添加を積極的に行い、それらによる発光特性の変化を調べた研究はほとんどない。本研究では、Pr:Y3Al5-xGaxO12において、Ga3+サイトへのZn2+の添加や水素添加による発光・吸収特性の変化について評価した。Pr:Y3Ga5O12のGa2+サイトへZn2+を15 mol%添加した試料において、水素添加処理前後で励起スペクトルに変化があった。