The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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CS Code-sharing session » 【CS.6】 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

[9p-Z05-1~14] 【CS.6】 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

Wed. Sep 9, 2020 12:30 PM - 4:30 PM Z05

Naoka Nagamura(NIMS), Kei Mitsuhara(Ritsumeikan Univ.), Masaru Takizawa(立命館大)

1:00 PM - 1:15 PM

[9p-Z05-3] Local Decomposition of SiO2 Layer by Electron-Beam Irradiation and Thermal Process

Kyota Akimoto1, Keisuke Fujimori1, Yoshiharu Enta1 (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:silicon oxide, electron irradiation effect, void

シリコン酸化膜(SiO2)に高電流密度電子線を照射すると、照射された領域で還元反応が生じ、その後真空加熱を行うと照射領域のみ選択的に SiO2膜に貫通穴(ボイド)が生ずることが報告されている。この現象は 1nm 厚以下の極薄 SiO2膜の場合であった。本研究では、20nm 以上の厚膜 SiO2 膜について、電子線照射後の表面をオージェ電子顕微鏡(SAM)と原子間力顕微鏡(AFM)により調べ、深さ方向に対する還元反応の振る舞いを明らかにした。さらに、電子線照射後に真空加熱を行い、20nm 以上の膜厚でも選択的にボイド形成が可能かどうか検証した。