[9p-Z05-1~14] 【CS.6】 Code-sharing Session of 6.5 & 7.6

[9p-Z05-3] Local Decomposition of SiO₂ Layer by Electron-Beam Irradiation and Thermal Process

〇Kyota Akimoto¹, Keisuke Fujimori¹, Yoshiharu Enta¹ (1.Hirosaki Univ.)

Keywords:silicon oxide, electron irradiation effect, void

シリコン酸化膜(SiO₂)に高電流密度電子線を照射すると、照射された領域で還元反応が生じ、その後真空加熱を行うと照射領域のみ選択的に SiO₂膜に貫通穴（ボイド）が生ずることが報告されている。この現象は 1nm 厚以下の極薄 SiO₂膜の場合であった。本研究では、20nm 以上の厚膜 SiO₂ 膜について、電子線照射後の表面をオージェ電子顕微鏡(SAM)と原子間力顕微鏡(AFM)により調べ、深さ方向に対する還元反応の振る舞いを明らかにした。さらに、電子線照射後に真空加熱を行い、20nm 以上の膜厚でも選択的にボイド形成が可能かどうか検証した。