[9p-Z05-1~14] 【CS.6】6.5 表面物理・真空と7.6 原子・分子線およびビーム関連新技術のコードシェアセッション

[9p-Z05-3] 電子線照射熱反応によるシリコン酸化膜の局所的分解反応

〇秋元 恭汰¹、藤森 敬典¹、遠田 義晴¹ (1.弘前大院理工)

キーワード：シリコン酸化膜, 電子線照射効果, ボイド

シリコン酸化膜(SiO₂)に高電流密度電子線を照射すると、照射された領域で還元反応が生じ、その後真空加熱を行うと照射領域のみ選択的に SiO₂膜に貫通穴（ボイド）が生ずることが報告されている。この現象は 1nm 厚以下の極薄 SiO₂膜の場合であった。本研究では、20nm 以上の厚膜 SiO₂ 膜について、電子線照射後の表面をオージェ電子顕微鏡(SAM)と原子間力顕微鏡(AFM)により調べ、深さ方向に対する還元反応の振る舞いを明らかにした。さらに、電子線照射後に真空加熱を行い、20nm 以上の膜厚でも選択的にボイド形成が可能かどうか検証した。