2020年第81回応用物理学会秋季学術講演会

講演情報

シンポジウム(口頭講演)

シンポジウム » ここまで来た不揮発性メモリ技術 - スピン、相変化、抵抗変化、強誘電体、それぞれの強み

[9p-Z08-1~7] ここまで来た不揮発性メモリ技術 - スピン、相変化、抵抗変化、強誘電体、それぞれの強み

2020年9月9日(水) 13:30 〜 17:20 Z08

中根 了昌(東大)、揖場 聡(産総研)、湯浅 裕美(九大)

14:00 〜 14:30

[9p-Z08-2] ReRAM技術とその新しい展開-不揮発性メモリからAI,センシング技術へ

粟村 聡資1 (1.PSCS)

キーワード:ReRAM, ニューラルネットワーク, 水素センサ

不揮発性メモリの開発は現在メモリのみならず様々な応用の研究開発が行われている.当社においても2層のタンタル酸化物(TaO)構造にフィラメントを形成するReRAMの開発及び量産化を進める一方で,ニューラルネットワークに代表されるAI計算のアクセラレータへの応用(RAND)や,水素センサ(ReHセンサ)の開発に取り組んでいる.本発表ではReRAMデバイス技術とこれらの応用技術について紹介する.