[9p-Z08-1~7] Recent Progress in Nonvolatile Memory technologies - Spintronic, Phase-change, Resistive and Ferroelectric-

[9p-Z08-3] Technical Issues to be Solved for the Improvement of STT-MRAM Performance

〇Masanori Hosomi¹ (1.Sony Semiconductor Solutions)

Keywords:spintronics, semiconductor, nonvolatile memory

今後市場が拡大することが期待されているSTT-MRAMのロジック混載メモリへの適用を前提とし、まず、メモリ動作と動作マージン及びメモリ性能の観点から、STT-MRAMの位置づけを明らかにする。その後、スピン注入磁化反転現象に由来する技術課題を詳しく説明することによって、STT-MRAMのメモリ性能向上と汎用化に向けた技術課題を共有し、学術的観点からその解決への協力を呼び掛けたいと考えている。