[9p-Z08-1~7] ここまで来た不揮発性メモリ技術 - スピン、相変化、抵抗変化、強誘電体、それぞれの強み

[9p-Z08-3] STT-MRAMのメモリ性能向上に向けた技術課題について

〇細見 政功¹ (1.ｿﾆｰｾﾐｺﾝﾀﾞｸﾀｿﾘｭｰｼｮﾝｽﾞ)

キーワード：スピントロニクス, 半導体, 不揮発メモリ

今後市場が拡大することが期待されているSTT-MRAMのロジック混載メモリへの適用を前提とし、まず、メモリ動作と動作マージン及びメモリ性能の観点から、STT-MRAMの位置づけを明らかにする。その後、スピン注入磁化反転現象に由来する技術課題を詳しく説明することによって、STT-MRAMのメモリ性能向上と汎用化に向けた技術課題を共有し、学術的観点からその解決への協力を呼び掛けたいと考えている。