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[9p-Z08-6] Phase change materials for PCRAM realizing low-energy operation
Keywords:phase change random access memory, non-volatile memory
実用PCRAMにはGe-Sb-Te(GST)が用いられ高速動作及び長期繰返し性を実現しているが、反面、高温データ保持性に劣る、他の次世代メモリに比して動作エネルギーが高い、などの課題を残す。我々は、PCRAM材料として、GSTとは逆の抵抗変化を示すCr2Ge2Te6や結晶多形変化により大きな抵抗変化を示すMnTeなどを提案している。本発表では、我々が取り組んでいるそれら材料について、その伝導機構や相変化メカニズム、また、省エネルギー動作性について紹介する。