[9p-Z08-1~7] ここまで来た不揮発性メモリ技術 - スピン、相変化、抵抗変化、強誘電体、それぞれの強み

[9p-Z08-6] 省エネルギー動作に向けた相変化メモリ材料の研究開発

〇須藤 祐司¹、畑山 祥吾¹、双 逸¹、森 竣祐¹ (1.東北大工)

キーワード：相変化メモリ, 不揮発性メモリ

実用PCRAMにはGe-Sb-Te（GST）が用いられ高速動作及び長期繰返し性を実現しているが、反面、高温データ保持性に劣る、他の次世代メモリに比して動作エネルギーが高い、などの課題を残す。我々は、PCRAM材料として、GSTとは逆の抵抗変化を示すCr₂Ge₂Te₆や結晶多形変化により大きな抵抗変化を示すMnTeなどを提案している。本発表では、我々が取り組んでいるそれら材料について、その伝導機構や相変化メカニズム、また、省エネルギー動作性について紹介する。