The 81st JSAP Autumn Meeting, 2020

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Symposium (Oral)

Symposium » Recent Progress in Nonvolatile Memory technologies - Spintronic, Phase-change, Resistive and Ferroelectric-

[9p-Z08-1~7] Recent Progress in Nonvolatile Memory technologies - Spintronic, Phase-change, Resistive and Ferroelectric-

Wed. Sep 9, 2020 1:30 PM - 5:20 PM Z08

Ryosho Nakane(Univ. of Tokyo), Satoshi Iba(AIST), Hiromi Yuasa(Kyushu univ.)

4:50 PM - 5:20 PM

[9p-Z08-7] High speed write operation property of spin current-type in-plane magnetic memory with Spin Orbit Torque

Yohei Shiokawa1, Eiji Komura1, Yugo Ishitani1, Atsushi Tsumita1, Kosuke Hamanaka1, Keita Suda1, Yuji Kakinuma1, Yukio Terasaki1, Tomoyuki Sasaki1 (1.TDK)

Keywords:MRAM, SOT

高速不揮発メモリとして注目されるスピン軌道トルク(SOT)を用いた面内磁化型のスピン流磁気メモリには、無磁場で動作するType-Yと垂直磁場が必要なType-Xが存在する。本発表では閾値反転電流密度、書き込みProbabilityなどの書き込み特性を比較し、スピン流磁気メモリの可能性を議論する。