[9p-Z08-1~7] ここまで来た不揮発性メモリ技術 - スピン、相変化、抵抗変化、強誘電体、それぞれの強み

[9p-Z08-7] スピン軌道トルクを用いた面内磁化型スピン流磁気メモリの高速書き込み特性比較

〇塩川 陽平¹、小村 英嗣¹、石谷 優剛¹、積田 淳史¹、濱中 幸祐¹、須田 慶太¹、柿沼 裕二¹、寺﨑 幸夫¹、佐々木 智生¹ (1.TDK)

キーワード：MRAM, SOT

高速不揮発メモリとして注目されるスピン軌道トルク（SOT）を用いた面内磁化型のスピン流磁気メモリには、無磁場で動作するType-Yと垂直磁場が必要なType-Xが存在する。本発表では閾値反転電流密度、書き込みProbabilityなどの書き込み特性を比較し、スピン流磁気メモリの可能性を議論する。