[9p-Z11-1~17] 12.4 有機EL・トランジスタ

[9p-Z11-14] 金属-絶縁体相転移モデルによる相転移型トランジスタの動作解析

〇武田 陸¹、佐野 照輝¹、石井 亮磨¹、渡邉 宏樹¹、酒井 正俊¹、桝 飛雄馬²、工藤 一浩¹ (1.千葉大院工、2.千葉大共用機器セ)

キーワード：強相関, 電荷秩序, トランジスタ

電荷秩序物質alpha-(BEDT-TTF)₂I₃について、バルクの抵抗率の温度依存性を説明するモデルとして、温度低下に伴って金属相の中に絶縁相ドメインが成長しながら結晶全体が絶縁体化していくモデルを立て、バルクの抵抗率の温度依存性をよく説明できる計算結果を得た。また、このモデルに基づいて当研究室で作製された相転移型FETの動作解析を行った。