[9p-Z12-1~19] 15.5 Group IV crystals and alloys

△ [9p-Z12-1] Liquid-mediated crystallization of amorphous GeSn under electron-beam irradiation

〇Ryo Motomura¹, Kohei Inenaga¹, Manabu Ishimaru¹, Ryusuke Nakamura², Hidenori Yasuda³ (1.Kyusyu Inst. Technol., 2.Osaka Pref. Univ., 3.Osaka Univ.)

Keywords:GeSn, transmission electron microscopy

本研究では、アモルファスGeSnの電子線誘起結晶化過程の電子顕微鏡「その場」観察を行い、大粒径のGeSn多結晶の作製を試みた。23 at.%Sn試料に、臨界fluxより十分に大きい値で照射すると、結晶化領域の外側では、数µmを超える粗大結晶粒が形成していた。また、結晶化プロセスを動画で撮影した結果、Snが過冷却液体として存在し、それを介して結晶化が進行することが示唆された。