[9p-Z12-1~19] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

△ [9p-Z12-1] 電子線照射下におけるアモルファスGeSnの融液媒介結晶化

〇本村 凌¹、稲永 航平¹、石丸 学¹、仲村 龍介²、保田 英洋³ (1.九州工大工、2.大阪府立大工、3.大阪大超高圧電顕)

キーワード：GeSn, 透過電子顕微鏡

本研究では、アモルファスGeSnの電子線誘起結晶化過程の電子顕微鏡「その場」観察を行い、大粒径のGeSn多結晶の作製を試みた。23 at.%Sn試料に、臨界fluxより十分に大きい値で照射すると、結晶化領域の外側では、数µmを超える粗大結晶粒が形成していた。また、結晶化プロセスを動画で撮影した結果、Snが過冷却液体として存在し、それを介して結晶化が進行することが示唆された。