PDF ダウンロード スケジュール 14 いいね! 2 コメント (1) 16:15 〜 16:30 [9p-Z12-13] GaAs(001)基板上におけるGe1−x−ySixSny 薄膜のエピタキシャル成長 〇中田 壮哉1、詹 天卓2、富田 基裕2、渡邉 孝信2、中塚 理1,3、黒澤 昌志1,4 (1.名大院工、2.早大理工、3.名大未来研、4.名大高等研究院) キーワード:GeSiSn, 熱電物性, 結晶成長