[9p-Z12-1~19] 15.5 Group IV crystals and alloys

[9p-Z12-15] Investigation of Strain-Free Raman Shift for Si-Si mode in SiGe using Bulk SiGe

〇Ryo Yokogawa^1,2, Momoyo Yomaoka¹, Yasutomo Arai³, Ichiro Yonenaga⁴, Atsushi Ogura^1,2 (1.Meiji Univ., 2.MREL, 3.JAXA, 4.Tohoku Univ.)

Keywords:SiGe, Raman spectroscopy, Raman shift

SiGe中の歪はデバイス設計に直接寄与するため精密な制御が必要であり、その歪評価手法としてラマン分光法が注目される。ラマン分光法で歪評価する場合、無歪ラマンシフトの算出が必要となるが、これまではバッファー層上の緩和SiGeから算出しており、残留歪の可能性が排除できず議論の余地がある。そこで本研究ではBulk SiGeを用いてSi-Siモードの無歪ラマンシフト決定を試み、高精度に決定可能かを検討した。