[9p-Z12-1~19] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[9p-Z12-2] 高Sn濃度GeSn/絶縁基板の低温固相成長(～200℃)に与える下地変調効果

〇丹 優太¹、鶴田 太基¹、佐道 泰造¹ (1.九大シス情)

キーワード：半導体, GeSn

薄膜トランジスタの高性能化を目指し、Siよりも高いキャリア移動度を有するGeやGeSnが注目されている。我々は絶縁基板上におけるGeSn(Sn濃度2%)の固相成長(450℃)を検討しGeSn/基板界面にa-Si下地を挿入することでキャリア移動度が向上することを明らかにした。この現象はa-Si下地による界面核発生の抑制に起因すると考えられるが詳細は解明されていない。今回、高Sn濃度GeSn(Sn濃度:15,20%)を用いて固相成長特性に与えるSi下地効果を検討したので報告する。