[9p-Z12-1~19] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[9p-Z12-3] 液相成長法により形成したGeSn細線の結晶欠陥が発光効率に与える影響

〇志村 考功¹、和田 祐希¹、細井 卓治¹、渡部 平司¹ (1.阪大院工)

キーワード：GeSn, シリコンフォトニクス, ゲルマニウム

GeSnは、近赤外領域でのレーザー用のIV族系材料として注目されている。これまでに低温の化学気相堆積法(CVD)でSi基板上に成長したSn組成が10%を超えるGeSn膜により低温でのレーザー発振が確認されている。しかしながら、固溶度をはるかに超えるSnの添加は結晶欠陥の増加をもたらし、室温でのレーザー発振の障害になっている。一方、我々は核形成を制御した液相成長（NCLPC）によりSiO₂表面上に良好な結晶性を有する単結晶GeSn細線の作製に成功した。Sn組成は5%以下と低く間接遷移型のバンド構造であるにも関わらず、フォトルミネッセンス測定ではバルクGe基板の100倍程度の発光強度を示した。そこで、本発表では、高効率な発光素子の実現に向けて、NCLPC法で作製した低欠陥密度のGeSn細線を用いて結晶欠陥が発光特性に及ぼす影響を調べた結果を報告する。