[9p-Z12-1~19] 15.5 Group IV crystals and alloys

[9p-Z12-9] Post deposition annealing effects on solid-phase crystallization for Ge thin films on insulators

〇Takuto Mizoguchi¹, Toshifumi Imajo¹, Takashi Suemasu¹, Kaoru Toko¹ (1.Tsukuba Univ.)

Keywords:Germanium, solid-phase crystallization, thin film

我々は絶縁基板上におけるGe固相成長において、加熱堆積により前駆体の密度を制御することで、多結晶Ge薄膜の劇的な大粒径化および高移動度化を実現した。くわえて、結晶化後のポストアニール（PA）によりアクセプタ欠陥を補償し、正孔密度pの低減と正孔移動度μの向上を同時に達成した。今回、本法への新たな堆積後焼締プロセスの導入による粒界障壁の低減、およびこれに伴うμの更新について報告する。