[9p-Z12-1~19] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[9p-Z12-9] 絶縁体上Ge薄膜の固相成長における焼締効果

〇溝口 拓士¹、今城 利文¹、末益 崇¹、都甲 薫¹ (1.筑波大院 数理物質)

キーワード：Ge, 固相成長, 薄膜

我々は絶縁基板上におけるGe固相成長において、加熱堆積により前駆体の密度を制御することで、多結晶Ge薄膜の劇的な大粒径化および高移動度化を実現した。くわえて、結晶化後のポストアニール（PA）によりアクセプタ欠陥を補償し、正孔密度pの低減と正孔移動度μの向上を同時に達成した。今回、本法への新たな堆積後焼締プロセスの導入による粒界障壁の低減、およびこれに伴うμの更新について報告する。