[9p-Z13-1~14] 3.13 Semiconductor optical devices

[9p-Z13-12] Temperature dependence of mid-infrared PL peak energy of InAs/GaSb superlattices grown by MOVPE

〇Tomohito Ohama¹, Koji Maeda¹, Takeshi Fujisawa², Yuki Imamura¹, Masakazu Arai¹ (1.Univ. of Miyazaki, 2.Hokkaido Univ.)

Keywords:InAs/GaSb superlattices, photoluminescence, kp perturbation method

InAs/GaSbタイプⅡ超格子の室温以上で中赤外発光する構造について未解明の点が多い。今回、フォトルミネッセンスの温度依存性を測定し、超格子構造との関係性を調査した。
測定の結果、温度依存性が計算値とほぼ一致し、ミニバンド間の発光であるピークと、室温まで発光し、高次準位のミニバンド間の発光だが詳細な遷移が不明であるピークを確認した。このような高次準位の遷移を室温での中赤外発光素子に利用できる可能性がある。