[9p-Z13-1~14] 3.13 半導体光デバイス

[9p-Z13-12] MOVPE法で作製したInAs/GaSb超格子の中赤外PLピークエネルギーの温度依存性

〇大濱 寛士¹、前田 幸治¹、藤澤 剛²、今村 優希¹、荒井 晶和¹ (1.宮崎大工、2.北海道大)

キーワード：InAs/GaSb 超格子, フォトルミネッセンス, kp摂動法

InAs/GaSbタイプⅡ超格子の室温以上で中赤外発光する構造について未解明の点が多い。今回、フォトルミネッセンスの温度依存性を測定し、超格子構造との関係性を調査した。
測定の結果、温度依存性が計算値とほぼ一致し、ミニバンド間の発光であるピークと、室温まで発光し、高次準位のミニバンド間の発光だが詳細な遷移が不明であるピークを確認した。このような高次準位の遷移を室温での中赤外発光素子に利用できる可能性がある。