[9p-Z13-1~14] 3.13 半導体光デバイス

[9p-Z13-13] 青色レーザ受光用GaP光電変換デバイスの作製と特性評価

〇荒井 昌和¹、今村 優希¹、日和田 健介¹ (1.宮崎大工)

キーワード：光無線給電, 光電変換素子, 結晶成長

光無線給電はレーザを使って遠距離の給電を行うが、高効率な青色レーザを受光する光電変換素子がまだない。本研究ではMOVPE法を用いて基板に格子整合し、低転位密度なGaPを用いた光電変換素子を作製し、青色レーザ照射下で開放電圧1.70Vという良好な値が得られたので報告する。