[9p-Z13-1~14] 3.13 半導体光デバイス

△ [9p-Z13-2] Si基板上表面照射型InGaAs PhotoFETの近赤外域分光感度特性

〇(M1)大石 和明^1,2、石井 裕之²、張 文馨²、石井 寛仁^1,2、遠藤 聡¹、藤代 博記¹、前田 辰郎^1,2 (1.東理大、2.産総研)

キーワード：半導体, InGaAs, フォトトランジスタ

我々は、Si基板上の化合物半導体を利用したモノリシック集積型の近赤外検出器を開発している。これまでに、Si-LSI で構成される読み出し回路(ROIC)との集積を見据えて、InGaAs層をSi基板上へ転写し、表面照射型の近赤外PhotoFETを試作した。今回、近赤外光の照射パワーを変化させることで、一定照射パワー密度での分光感度特性を得たので報告する。