[9p-Z18-1~21] 3.7 レーザープロセシング

△ [9p-Z18-4] 中赤外自由電子レーザー照射された半導体表面における周期構造形成過程の考察

〇田中 陽平¹、細川 誓¹、橋田 昌樹^1,2、全 炳俊³、長島 健⁴、尾崎 典雅⁵、井上 峻介^1,2、阪部 周二^1,2 (1.京大院理、2.京大化研、3.京大エネ研、4.摂南大、5.阪大工)

キーワード：レーザー誘起周期構造, 中赤外自由電子レーザー, 半導体

長波長で、高強度の中赤外自由電子レーザー（MIR-FEL）を用いて、その場観察が可能な周期間隔の微細周期構造（LIPSS）が形成できることを我々は報告してきた。今回、MIR-FEL照射によって半導体材料に形成されたLIPSSの形成閾値や周期間隔などを詳細に解析し、他の光源によるLIPSSやこれまでに提案されているモデルと比較することで、今後形成過程の観測に必要となる時間分解能を考察した。