[9p-Z19-1~16] 3.15 シリコンフォトニクス・集積フォトニクス

[9p-Z19-5] Ge/Siリブ導波路構造を用いた電界吸収型光変調器の高温動作に関する検討

〇藤方 潤一¹、野口 将高¹、鄭 錫煥¹、太縄 陽介^1,2、志村 大輔^1,2、川下 和樹³、片廻 陸³、小野 英輝^1,2、岡山 英彰^1,2、高橋 博之^1,2、八重樫 浩樹^1,2、石川 靖彦³、中村 隆宏¹ (1.光電子融合基盤研、2.沖電気、3.豊橋技科大学)

キーワード：ゲルマニウム, 電界吸収型光変調器, フランツケルディッシュ効果

本報告では，SiベースのPN接合リブ導波路上にGe層をエピタキシャル成長したGe/Si電界吸収型変調器において，Ge層の結晶品質を解析すると共に，高温での動作波長及び高速動作を検討した．