[9p-Z20-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-Z20-1] [（再講演）第10回化合物半導体エレクトロニクス業績賞（赤﨑勇賞）受賞記念講演] GaAs系、ZnSe系、および酸化物半導体の結晶成長における新技術開拓

〇藤田 静雄¹ (1.京大院工)

キーワード：半導体, 結晶成長, ミストCVD

このような賞をいただき、たいへん名誉なことです。化合物半導体の結晶成長技術は一つの到達の域にありますが、社会・学術の要求を念頭に、大学の研究という観点で新しい試みを続けたいという思いで研究を行ってまいりました。GaAs系成長における有機ヒ素原料の利用、ZnSe系成長における光照射、酸化物系成長におけるミストCVDなどです。ミストCVDは酸化物半導体の成長に適した成長法と考えられ、今後の深化を期待するところです。