[9p-Z20-1~16] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[9p-Z20-4] n型α-Ga₂O₃におけるトラップ準位の光容量法を用いた解析

〇高根 倫史¹、金子 健太郎¹、四戸 孝²、藤田 静雄¹ (1.京大院工、2.(株)FLOSFIA)

キーワード：酸化ガリウム, 光容量法, トラップ準位

α-Ga₂O₃においてバンド端全域を網羅したトラップ準位の詳細な報告は無い．しかしながら、バンドギャップ内の深い準位でのエネルギー準位や起源を解明することは，デバイスの実用化においてきわめて重要である．本研究では，光容量法を用いて，伝導帯下1.5eVから価電子帯頂上までの幅広い位置に存在している種々のトラップの解析を行ったので報告する．