[9p-Z21-1~10] 8.3 Plasma nanotechnology

[9p-Z21-7] Fabrication of Y-doped InN Films by Glancing-angle Reactive Sputtering

Suzuki Tsukasa¹, 〇Yoshiyuki Nakayama¹, Inoue Yasushi¹, Takai Osamu² (1.Chiba Inst. Technol., 2.Kanto Gakuin Univ.)

Keywords:Glancing-angle Deposition Scheme, Adsorption-induced Electrochromic

窒化インジウム(InN)薄膜は，分極させることにより，可逆的に明褐色から暗褐色へ変化するエレクトロクロミック(EC)反応を示す．このEC反応は光吸収端がシフトするために色変化が起こる．すなわち，InNのバンドギャップを縮小させることで，赤外領域の光透過率を制御可能なはずである．本研究では，InNにYを添加することでバンドギャップを縮小させ，EC反応波長域を長波長側へシフトさせることが可能か調査することを目的とする．