[9p-Z21-1~10] 8.3 プラズマナノテクノロジー

[9p-Z21-7] GLAD法を適用した反応性スパッタリング法による微絨毛構造化YドープInN膜の作製

鈴木 僚¹、〇中山 佳之¹、井上 泰志¹、高井 治² (1.千葉工大、2.関東学院大)

キーワード：斜め堆積法, 吸着誘起型エレクトロクロミック

窒化インジウム(InN)薄膜は，分極させることにより，可逆的に明褐色から暗褐色へ変化するエレクトロクロミック(EC)反応を示す．このEC反応は光吸収端がシフトするために色変化が起こる．すなわち，InNのバンドギャップを縮小させることで，赤外領域の光透過率を制御可能なはずである．本研究では，InNにYを添加することでバンドギャップを縮小させ，EC反応波長域を長波長側へシフトさせることが可能か調査することを目的とする．