[9p-Z26-1~14] 9.3 Nanoelectronics

△ [9p-Z26-1] Non-uniform gate-capacitance distribution in the multi-dot single-electron devices due to three-dimensional structure of dots

〇Takayuki Gyakushi¹, Yuki Asai¹, Beommo Byun¹, Ikuma Amano¹, Atsushi Tsurumaki-Fukuchi¹, Masashi Arita¹, Yasuo Takahashi¹ (1.Graduate School of IST., Hokkaido Univ.)

Keywords:single-electron device, self-assembled nanodot array, Coulomb blockade

単電子デバイス(Single-electron device, SED)は、多数の入力端子を取り付けることが容易で、低消費電力・高機能な集積デバイスとして期待されている。本研究では、より高機能なゲート制御を目指して、ドットアレイの上下にゲートを取り付けたSEDの電気特性を評価した。２つのゲートを併用することで、ドット内の電荷状態を制御することができた。さらに、電界シミュレーションによりドットの立体的な効果によりゲート容量が不均一化することを確認した。