[9p-Z26-1~14] 9.3 ナノエレクトロニクス

△ [9p-Z26-1] マルチドット単電子デバイスにおけるドットの三次元構造によるゲート容量の不均一化

〇瘧師 貴幸¹、浅井 佑基¹、卞 範模¹、天野 郁馬¹、福地 厚¹、有田 正志¹、高橋 庸夫¹ (1.北大院情報)

キーワード：単電子デバイス, 自己組織化ナノドットアレイ, クーロンブロッケード

単電子デバイス(Single-electron device, SED)は、多数の入力端子を取り付けることが容易で、低消費電力・高機能な集積デバイスとして期待されている。本研究では、より高機能なゲート制御を目指して、ドットアレイの上下にゲートを取り付けたSEDの電気特性を評価した。２つのゲートを併用することで、ドット内の電荷状態を制御することができた。さらに、電界シミュレーションによりドットの立体的な効果によりゲート容量が不均一化することを確認した。