[9p-Z26-1~14] 9.3 Nanoelectronics

[9p-Z26-10] Formation of Microstructures for Nano-gap Electrode Patterns Using Ion Milling

〇Kazuki Otsu^1,3, Hiroshi Suga¹, Kazuhito Tsukagoshi², Touru Sumiya³, Hisashi Shima³, Yasuhisa Naitoh³ (1.CIT, 2.WPI-MANA NIMS, 3.AIST)

Keywords:nanogap

ナノギャップ電極の形成は主に電子ビームリソグラフィ (EBL) と光露光を組み合わせたパターニングを用いており，水に弱い単結晶基板などに対しては光露光が使用できず，デバイス作製工程を工夫する必要がある．そこで，本研究では酸化膜を備えたシリコン基板上に金属膜を均一成膜し，EBLを用いて素子のふち構造を描画し，アルゴンミリングすることで描画時間の短縮や重ね露光が不要な，簡便な電極作製工程を提案する．