[9p-Z26-1~14] 9.3 ナノエレクトロニクス

[9p-Z26-10] イオンミリングを用いたナノギャップ電極パターン用微細形状の形成

〇乙津 和希^1,3、菅 洋志¹、塚越 一仁²、角谷 透³、島 久³、内藤 泰久³ (1.千葉工大、2.物材機構、3.産総研)

キーワード：ナノギャップ

ナノギャップ電極の形成は主に電子ビームリソグラフィ (EBL) と光露光を組み合わせたパターニングを用いており，水に弱い単結晶基板などに対しては光露光が使用できず，デバイス作製工程を工夫する必要がある．そこで，本研究では酸化膜を備えたシリコン基板上に金属膜を均一成膜し，EBLを用いて素子のふち構造を描画し，アルゴンミリングすることで描画時間の短縮や重ね露光が不要な，簡便な電極作製工程を提案する．