[9p-Z26-1~14] 9.3 Nanoelectronics

[9p-Z26-7] Fabrication of single-electron devices in use of shadow evaporation combined with in-situ atomic-layer deposition

〇(M2)Takehiro Koike¹, Hiroki Konno¹, Mizugaki Yoshinao¹, Shimada Hiroshi¹, Masanori Miura², Kensaku Kanomata², Fumihiko Hirose² (1.Univ. Electro-Communications, 2.Yamagata Univ.)

Keywords:ALD, small tunnel junction, SET

電子線リソグラフィを用いた金属微小トンネル接合の作製プロセスとして二層レジスト斜め蒸着法が一般的に用いられている。本研究では、電極材料の選択性を拡張するために、トンネル障壁形成にin situの室温原子層堆積(ALD)法を導入した斜め蒸着プロセスを開発した。ALD機構は、圧空バルブや専用制御回路を導入し、自動制御できるようにした。この素子形成装置を用いてNi/Al/Ni-SET素子を作製し、帯電効果を含む非線形伝導とクーロン振動を観測した。