[9p-Z26-1~14] 9.3 ナノエレクトロニクス

[9p-Z26-8] ナノギャップ構造を用いた平面型TaOx-ReRAMのフィラメント観察

〇内藤 泰久¹、角谷 透¹、島 久¹、秋永 広幸¹ (1.産総研)

キーワード：ナノギャップ, 抵抗変化型メモリ, 透過型電子顕微鏡

我々のグループが有するナノギャップ形成技術を応用し、平面型のReRAM構造を実現した。この時積層型におけるTaOx膜厚が数nmであることを意識し、おおよそ10nm程度のギャップサイズとした。作製した素子は、数千回程度の連続スイッチ動作にも耐え、非常に良好に動作した。また、本素子におけるフィラメントは平面上に露出しており、電子顕微鏡などにより詳細に観察を行った。講演では、これらの結果の詳細を報告する。