[9p-Z27-1~24] 11.1 基礎物性

[9p-Z27-1] 均質性に優れる単一結晶成長領域からなるREBCO溶融凝固バルク材料の開発

〇元木 貴則¹、箭内 優¹、布川 航太¹、笹田 廉陛¹、下山 淳一¹ (1.青山学院大学)

キーワード：REBCO, 溶融凝固バルク, 捕捉磁場

REBCO溶融凝固バルクは通常、Top-Seeded Melt Growth (TSMG) 法やTop-Seeded Infiltration Growth (TSIG)法などに代表されるバルク上面に設置した種結晶を起点とする溶融成長で育成するため、種結晶から鉛直方向に成長するc-growth領域と動径方向に成長するa-growth領域を有する。a-growth領域とc-growth領域では微細組織に違いがあり、一般に異なる磁場中J_c特性を示す。そのため、同心円状の均質な捕捉磁場特性を有するバルクの作製が難しい。本研究では、異なる希土類元素のREBCOを用いて、包晶温度の差を利用して単一の結晶成長領域からなる溶融凝固バルクの作製を試みた。