[9p-Z27-1~24] 11.1 Fundamental properties

△ [9p-Z27-13] Gate voltage dependence of the superconducting properties of the electron-doped FeSe/LaAlO₃ films

〇Naoki Shikama¹, Yuki Sakishita¹, Fuyuki Nabeshima¹, Yumiko Katayama¹, Kazunori Ueno¹, Atsutaka Maeda¹ (1.The Univ. of Tokyo)

Keywords:iron-based superconductor, thin film, electric-double layer transistor

FeSeは電子ドープによってT_cが40 K程度まで上昇する。我々は以前、電子ドープを行った際に薄膜表面の電気化学反応層においてT_c上昇が起きていることを示唆する結果が得られた。T_cのゲート電圧依存性が静電的にドープした場合と異なる可能性があるため、FeSe薄膜においてT_cのゲート電圧依存性を調べた。低ゲート電圧側で高いT_cを示すことが判明し、静電ドープの場合と大きく異なることが分かった。