[9p-Z27-1~24] 11.1 基礎物性

△ [9p-Z27-13] 電子ドープFeSe/LaAlO₃薄膜における超伝導特性のゲート電圧依存性

〇色摩 直樹¹、崎下 雄稀¹、鍋島 冬樹¹、片山 裕美子¹、上野 和紀¹、前田 京剛¹ (1.東大院総合)

キーワード：鉄系超伝導体, 薄膜, 電気二重層トランジスタ

FeSeは電子ドープによってT_cが40 K程度まで上昇する。我々は以前、電子ドープを行った際に薄膜表面の電気化学反応層においてT_c上昇が起きていることを示唆する結果が得られた。T_cのゲート電圧依存性が静電的にドープした場合と異なる可能性があるため、FeSe薄膜においてT_cのゲート電圧依存性を調べた。低ゲート電圧側で高いT_cを示すことが判明し、静電ドープの場合と大きく異なることが分かった。