[9p-Z27-1~24] 11.1 基礎物性

△ [9p-Z27-16] NdFeAsO薄膜の電気輸送特性の電子濃度依存性

〇近藤 圭祐¹、陳 明宇¹、畑野 敬史¹、飯田 和昌^1,2、生田 博志¹ (1.名大工、2.JST CREST)

キーワード：鉄系超伝導体, 薄膜, 水素ドープ

NdFeAs(O,H)エピタキシャル薄膜の電気輸送特性を測定しNdFeAs(O,F)薄膜の結果と比較した。ドーピング種をFからHに変えることで、より高濃度の電子ドープが可能となり、NdFeAsO薄膜の電気輸送特性の電子濃度依存性を調べることができる。その結果、NdFeAs(O,H)薄膜の不可逆磁場および臨界電流密度は、ともにNdFeAs(O,F)薄膜に比べて大きく向上することがわかった。