[9p-Z28-1~19] FS.1 フォーカストセッション「AIエレクトロニクス」

[9p-Z28-2] 遅延回路を含むスピントロニクス・リザバーの短時間記憶容量

山口 皓史¹、明石 望洋²、常木 澄人¹、久保田 均¹、中嶋 浩平²、〇谷口 知大¹ (1.産総研、2.東大)

キーワード：スピントロニクス, 物理リザバー計算, 遅延回路

近年、ソフトマターや量子系などの物理系を計算資源に用いた物理リザバー計算の研究開発が盛んに行われている。特にナノメートルサイズの磁石を用いたスピントロニクス素子による物理リザバー計算は素子サイズの小ささと消費電力と少なさから大きな注目を集めている。しかしスピントロニクス素子の短時間記憶容量などの性能指数は低い値に留まっている。本研究では遅延回路を含むスピントロニクス素子の短時間記憶容量を評価し、単体素子より高い性能指数を得たので結果を報告する。