13:45 〜 14:00 [14p-A302-1] [講演奨励賞受賞記念講演] Naフラックスポイントシード法を用いたGaN結晶成長と新しい試み 〇今西 正幸1、村上 航介1、奥村 加奈子1、中村 幸介1、垣之内 啓介1、北村 智子1、吉村 政志1,2、森 勇介1 (1.阪大院工、2.阪大レーザー研)