15:00 〜 15:15 [13p-D419-5] ミストCVD法によるrh-ITO上のε-Ga2O3薄膜成長と電気的特性評価 〇(M1)伊藤 雄祐1、藤原 悠希1、西中 浩之1、田原 大祐1、島添 和樹1、新田 悠汰1、野田 実1、吉本 昌広1 (1.京工繊大)