13:30 〜 13:45 [14p-B401-1] GaN-MOSFETにおける移動度特性の温度依存性 〇上野 勝典1、松山 秀昭1、稲本 拓朗1、田中 亮1、福島 悠太1、高島 信也1、江戸 雅晴1 (1.富士電機(株))