13:30 〜 15:30 [14p-PB2-3] 歪み緩衝層を導入したInP/Si基板上InAs量子ドット構造 〇(M1C)白井 琢人1、韓 旭1、石崎 隆浩1、対馬 幸樹1、澁川 航大1、藤原 啓太1、佐藤 元就1、下村 和彦1 (1.上智理工)