13:30 〜 15:30 [12p-PA1-6] THz受信器応用に向けたNi/n-GaNショットキーバリアダイオード特性の評価 〇三浦 進1、椋橋 健太1、五島 敬史郎1、高橋 言緒2、永瀬 成範2,3 (1.愛知工大、2.産総研 電子光、3.産総研 GaN-OIL)