16:15 〜 16:30 [14p-B401-10] 表面活性化接合によって作製したGaN-on-Diamond HEMTの特性評価 〇滝口 雄貴1、檜座 秀一1、藤川 正洋1、西村 邦彦1、柳生 栄治1、松前 貴司2、倉島 優一2、高木 秀樹2、山向 幹雄1 (1.三菱電機、2.産総研)