09:30 〜 11:30 [15a-PB1-9] Ni窒化物半導体のショットキーバリアダイオード特性評価と窒化時間依存性 〇森岡 璃久1、市川 和典1、赤松 浩2、大島 多美子3、葉 文昌4 (1.松江高専、2.神戸高専、3.佐世保高専、4.島根大学)